Kaust 대학 연구 개발과 나노 AlGaN 발광 장치, UV LED 성능을 향상 시킬 것으로 예상 된다

Aug 07, 2018

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연구 등급된 굴절률 (Grinsch) 장치, 나노 스케일 Grinsch 극 지 몸 개발 하 고 연구원 레이저, 광학 센서, 진폭 변조, 미래에 나노 효율적인 UV LED 장치를 사용할 수 있을 것으로 기대 하 고 광학 관련 장치입니다. 기존 AlGaN 발광 장치는 기존의 UV 레이저 및 독성 물질을 포함 하는 자외선 램프 자외선 램프 원천이 될 여겨진다. 그러나, 때문에 장치에 UV 레이저 다이오드 전압 이어야 합니다 작동, 적어도 25 볼트 직렬 저항 높은, 제한 된 성능을 결과 주입 층의 불 쌍 한 효율성과 함께.

 

이유는 AlGaN 알루미늄 층의 P 형 반도체 코팅 및 효과적인 열 분산 파이프의 부족을 관련이 있습니다. 나노 스케일 AlGaN 및 원래 AlGaN 필름 레이어, 높은 볼륨 비율, 효과적인 스트레스 이완의 형성의 표면적 금속 확장명을 포함 하는 행렬에 직접 수 있기 때문에. 금속 및 금속 기판, 실리콘 또는 사파이어 입은, 높은 현재 작업 중 더 나은 열 분산 파이핑을 제공할 수 있습니다. 또한, 나노 급 P 형 반도체, 마그네슘의 추가 때문에 활성화 에너지 수요 이므로, 저항이 상대적으로 작습니다. 연구원의 팀은 Grinsch 극 지 몸은 전자와 광학 성능, 우수한 고 필요한 전압 및 직렬 저항 또한 원래 2 극 지 몸 보다 낮은 확인 했습니다.


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